在以为溶剂、以V2O5/SiO2为催化剂、8-羟基喹啉为助剂的催化条件下,以水溶液为氧化剂,对催化氧化制备的催化反应体系进行了研究。考察了V2O5的负载量以及8-羟基喹啉的用量及反应温度对氧化反应的影响,发现适当的负载量有利于V2O5催化性能的提高。结果表明,当V2O5负载量(质量分数)为5%、催化剂的量和8-羟基喹啉的质量相等、反应温度为30℃时的转化率和的选择性较好。这源于V2O5高度分散于SiO2载体上,增大了活性组分V2O5的表面积,从而增加了其活性中心的个数及活性组分与反应物的接触面积,从而增加了催化活性。
采用原位氧化聚合法将聚插入层状V2O5的片层中,制得了聚/五氧化二钒(PAn/V2O5)纳米复合材料,并借助热失重分析(Thermogravimetricanalysis,TGA)、傅立叶变换红外光谱(Fouriertransforminfraredspectra,FTIR)、X射线衍射(X-raydiffraction,XRD)、电导率及循环伏安测试等手段研究了60Coγ射线辐照对纳米复合材料结构与性能的影响。结果表明,60Coγ射线辐照可使V2O5片层间的低分子量的齐聚物转化为大分子量的聚,从而提高了纳米复合材料热稳定性;同时电化学性能也得到明显改善。且辐照对纳米复合材料的层状结构几乎没有影响。
试样经偏硼酸锂熔融分解，用约0．4moL／L的溶液热提取后，采用ICP—AES法同时测定五氧化二钒中硅、铁、磷、硫、钾、钠杂质元素的含量。通过筛选分析谱线、合理扣除背景干扰以及采用基体匹配的方式消除钒对杂质元素的分析干扰，通过调节仪器的佳工作参数，采用本方法测定物质，测定结果同认定值无明显差异，相对标准偏差（n=11）为127％-4．58％，方法的检出限在0．001-0.027mg／L。
本文采用碳热法还原V2O5制备钒的氧化物VO2。用XRD分析生成物的相结构,用DSC/TGA的分析结果推测反应历程。结果表明:反应经历了674°C-710°C期间生成V6O13和710°C以上完全形成VO2的过程。将VO2与LAS玻璃复合烧结成陶瓷,对其进行阻温测试,结果表明:在室温至100°C间复合陶瓷电阻急骤下降,这是由VO2的半导体-金属相变效应引起的。
