即硅片表面必须由低能转化为高能表面。从A=r（SG）- r（SL）＞0式可以看出:完成上述转化的条件为或者使r（SG）.上升,或者r（SL）下降。由于清洗液大多为无机碱、酸的水溶液,知这时r（SL）.几乎不变。因此，的方法是改变r（SG）, 使之增加。由于结构完整的纯净硅表面r（SG）是固定的,要改变其r（SG）,只能改变其表面结构。实际上,硅片经过清洗液洗后，表面Si大部分以O键为终端结构，即表面非定形SiOx结构，利用其高r（SG）值达到硅表面吸附水分子的效果。亲水处理后，硅表面结构
目前，关于PDMS. 与硅基材料低温键合的方法多种多样。在制作硅- PDMS多层结构微阀的过程中,将PDMS直接旋涂、固化在硅片上，实现硅- PDMS薄膜直接键合,这种方法属于可逆键合，键合强度不高。在制作生物芯片时，利用氧等离子体分别处理PDMS和带有氧化层掩膜的硅基片，将其键合在一起。此方法实际上是PDMS与SiO2掩膜层的键合，但在硅表面由热氧化法制得的SiO2膜层与PDMS的键合效果并不理想。
PDMS材料在性能上也有- -些缺陷:表面疏水，缓冲液很难注入，表面吸附作用强，需进行表面改性和修饰才能进行应用;导热性差，导热系数比玻璃低8-10倍，不利于焦耳热的散失，限制了单位长度上的场强;PDMS材料的弹塑性定了它的微结构不像其他刚性材料的结构那样的稳定。由于PDMS材料具有高度疏水性，对生物分子特别是大分子蛋白具有强烈的非特异性吸附。在样品分离时，由于吸附作用容易产生严重的拖尾、蛋白质分离失败、失活的现象，严重限制了PDMS在微流控芯片领域的应用。
亲疏水处理度对于GaAs/GaN键合界面透光性的影响
采用亲疏水两种不同的处理方法,在氮气保护、600℃热处理1h条件下,成功实现了GaN和GaAs异质材料的键合,两种处理方法均可满足器件对于键合强度及键合面积的要求.从亲疏水键合机理的不同出发,研究了两种处理方法对于界面透光性的影响,对键合样品进行了可见光透射谱测试,实验结果表明疏水键合界面对于垂直入射的630nm的光可以获得高达94.7%的透过率,并将键合样品加工成器件进行电致发光(EL)谱测试,实验结果与透射谱测试结果一致.
