提供各种电流电压等级的碳化硅肖特基二极管和平面、沟槽栅碳化硅MOSFET，
产品可应用于标准环境及高温环境，各项性能指标达到国际领先水平
B3D10065E
B4D30120H
B3D10065KF
B3D10065KS
B3D10065F
B3D50120H2
B4D60120H2
B3D25120H
B4D40120H
B2DM060065N1
B3D05120E
B3D20120H
B4D20120H
B3D40120HC
B2D60120H1
B2DM100120N1
B1D02065E
B1D02065K
B2D04065E1
B2D04065D1
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B2D04065V
B2D04065K1
B2D06065E1
B1D06065F
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B1D08065E
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B1D12065K
B1D15065K
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B2D16065HC1
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B2D20065HC1
B3D20065HC
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B2D20065TF
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BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET
B2M160120H B2M160120Z B2M160120R
B2M080120H B2M080120Z B2M080120R
AB2M080120H AB2M080120Z AB2M080120R
B2M065120H B2M065120Z B2M065120R
B2M040120H B2M040120Z B2M040120R
AB2M040120Z AB2M040120R
B2M032120Y
*B2M030120H *B2M030120Z *B2M030120R
B2M020120Y
*B2M018120H *B2M018120Z
B2M011120HK
*B2M009120Y
B2M600170H B2M600170Z B2M600170R
Part No.
BMF240R12E2G3
汽车级全碳化硅功率模块是基本公司为新能源汽车主逆变器应用需求而研发推出的系列MOSFET功率模块产品，包括Pcore™6汽车级HPD模块（6芯片并联、8芯片并联）、Pcore™2汽车级DCM模块、Pcore™1汽车级TPAK模块、Pcore™2汽车级ED3模块等，采用银烧结技术等基本半导体最新的碳化硅 MOSFET 设计生产工艺，综合性能达到国际先进水平，通过提升动力系统逆变器的转换效率，进而提高新能源汽车的能源效率和续航里程。
基本公司针对多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。我们的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片、自举桥式驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。
BTD25350MMBWR 带禁用功能，死区时间设置，米勒钳位功能
BTD25350MMCWR
BTD25350MSBWR 带禁用功能，死区时间设置，开通、关断分别控制
BTD25350MSCWR
BTD25350MEBWR 带禁用功能，死区时间设置，副边正电源带欠压保护功能
BTD25350MECWR
BTD21520MAWR 双通道同相输入，
BTD21520MBWR 死区配置和禁用功能
BTD21520SAWR 双通道同相输入，
BTD21520SBWR 带禁用功能
BTD21520EAWR 单PWM输入，
BTD21520EBWR 死区配置和禁用功能
BTD21520MAPR 双通道同相输入， 死区配置和禁用功能双通道同相输入,
BTD21520MBPR 死区配置和禁用功能
BTD21520SAPR 双通道同相输入，
BTD21520SBPR 带禁用功能
BTD21520EAPR 单PWM输入，
BTD21520EBPR 死区配置和禁用功能
BTD5350MBPR 米勒钳位功能
BTD5350MCPR
BTD5350MBWR
BTD5350MCWR
BTD5350SBPR 开通、关断
BTD5350SCPR
BTD5350SBWR 分别控制
BTD5350SCWR
BTD5350EBPR 副边正电源
BTD5350ECPR
BTD5350EBWR 带欠压保护功能
BTD5350ECWR
BTL27523R 反相
BTL27523BR
BTL27524R 同相
BTL27524BR
随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点，使用基本公司碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显著提频降低系统综合成本（电感磁性元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）专业分销基本公司SiC碳化硅MOSFET！
倾佳电子（Changer Tech）致力于基本公司国产碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT，全力推动基本公司国产碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
倾佳电子（Changer Tech）专业分销基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET-国产替代英飞凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，FF4MR20KM1HP，FF3MR20KM1H，FF5MR20KM1HP，FF5MR20KM1H，FF4MR20KM1H，FF3MR20KM1HP。
倾佳电子（Changer Tech）致力于基本公司国产碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在电力电子市场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET适用于1500V光储系统，1500V系统大组串SiC光伏逆变器，1500V系统储能变流器PCS，1500V系统固态断路器，固态变压器等。
大组串IGBT光伏逆变器MPPT传统上使用飞跨电容IGBT方案，控制复杂，频率低，采用基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET进行两电平改造，控制简单可靠，频率提升，电感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。
IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，功率损耗可以降低约70%左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器优化），同时保持最高结温低于最大规定值。
未来随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。
为此，BASiC™基本公司研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。
为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求，BASiC™基本公司基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。
针对新能源汽车的应用需求，BASiC™基本公司研发推出符合AEC-Q101认证和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。
B3M040120Z是BASiC™基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的最新产品，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5mΩ工业级全碳化硅半桥功率模块，产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。
BASiC™基本公司推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。
为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。