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福州德国贝克BECKER螺杆泵在线咨询「在线咨询」钢铁是怎样炼成的精彩片段
2023-11-15 21:09  浏览:31
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热敏电阻的电阻-温度特性可近似地用下式表示:R=R0exp{B(1/T-1/T0)}:R:温度T(K)时的电阻值、Ro:温度T0、(K)时的电阻值、B:B值、*T(K)=t(ºC)+273.15。实际上,热敏电阻的B值并非是恒定的,其变化大小因材料构成而异,大甚至可达5K/°C。

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若在适当的还原气氛中变成二氧化钒,则电阻急变温度变大;若进一步还原为三氧化二钒,则急变消失。产生电阻急变的温度对应于半玻璃半导体物性急变的位置,因此产生半导体-金属相移。CTR能够作为控温报警等应用

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半导体如锗和硅晶体的能带结构,类似于绝缘体,导带中没有电子而价带是满带,但其间的禁带宽度较小,如硅约1.1eV,锗约0.7eV。常温下,由于热运动,少量在价带顶部的能量大的电子就可能越过禁带而升迁到导带中去成为“自由电子”,这些电子可以通过电子导电形成电流。

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