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5分钟前 1625nmDFB激光器诚信企业「沐普科技」[沐普科技1b75b01]内容：

DFB芯片的制作工艺非常复杂，体现了半导体产品在生产制造上的复杂程度，芯片大小可以在成人大拇指上形象地看出来。

DFB芯片设计：芯片分为P极和N极，当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。光纤通讯通讯是DFB的主要应用，如1310nm，1550nm DFB激光器的应用，这里主要介绍非通讯波段DFB激光器的应用。

DFB半导体激光器的主要封装结构：同轴尾纤封装，TO封装，蝶形封装。其中蝶形封装结构为常见。DFB激光器的主要优点是一种轴向共振器模式优于其他模式。这在所需波长处产生相对窄的单模发射峰（单纵模）。它们的单模波形在诸如气体传感和电信的应用中是特别需要的。它们本质上比大多数其他激光二极管结构更稳定，这意味着它们不会模式跳变。模跳变是法布里-珀罗激光器的一个缺点。DFB通常可以通过改变温度和注入电流实现从其中心波长起数纳米的调节。一般来说，DFB可以在10度温度漂移的情况下调谐到1nm左右。这一特性与它们的窄线宽相结合，使得DFB特别适合于需要调整波长和窄线宽以定位气体吸收线的传感应用。

2006年，Cliche等人利用电学反馈的方法将MHz量级的半导体分布式反馈激光器(distributed feedback laser，DFB)降低到kHz量级;2011年，Kessler等人利用低温高稳单晶腔结合有源反馈控制获得40 MHz的超窄线宽激光输出;2013年，Peng等人利用腔外法珀腔(Fabry-Perot, FP)反馈调节的方法获得15 kHz线宽的半导体激光输出，电学反馈方法主要利用的是Pond-Drever-Hall稳频反馈使得光源激光线宽得到压缩。2010年，Bernhardi等人在氧化硅基底上制作1 cm的掺铒氧化铝FBG，获得线宽约为1.7 kHz的激光输出。同年，Liang等人针对半导体激光器利用高Q回音壁谐振腔形成的后向瑞利散射自注入反馈进行线宽压缩，如图 1所示，终获得160 Hz的窄线宽激光输出。

DFB芯片设计：芯片分为P极和N极，当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。半导体激光器激光器优点是体积小，重量轻，运转可靠，耗电少，效率很高等特点。半导体激光器的发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高半导体激光器的内、外部效率。常规Φ5mm型半导体激光器封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相连，负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连，然后其顶部用环氧树脂包封。